SK海力士发布第六代10纳米DRAM芯片，数据中心节电30%

韩国存储器巨头SK海力士宣布成功开发了全球首款第六代10纳米（1c）制程的16Gb DDR5 DRAM芯片，并展示了其在10纳米级别的超微细化存储技术。此次发布的芯片在性能和能效方面都有显著提升，为数据中心提供了更高效的解决方案。

SK海力士指出，虽然10纳米级DRAM在微细加工难度上有所增加，但该公司在业界最高性能的第五代（1b）DRAM基础上进行了优化，突破了技术极限。预计今年将完成1c制程DDR5 DRAM的量产准备，并计划在2025年开始正式供应，进一步推动存储器市场的发展。

SK海力士在1b制程DRAM平台的基础上扩展开发了1c制程技术。技术团队表示，这不仅降低了制程中可能出现的错误，还将1b制程的高性能优势延续到1c制程。公司还对部分EUV制程材料进行了创新，优化了EUV的适用性，以确保成本的竞争力。1c制程的设计革新使生产率较前代1b提高了30%以上。

新款1c制程DDR5 DRAM主要面向高性能数据中心，其执行速度达到8Gbps，比前代产品提高了11%。能效方面也提升了9%。在人工智能时代，数据中心的电力需求持续增长。SK海力士的1c DRAM芯片可以帮助云服务提供商将电费降低多达30%。

SK海力士计划从明年开始大规模出货这款新芯片，预计将对数据中心的电力成本产生显著影响。