DRAM市场现状分析：潜在危机与未来展望

近期研究机构对高带宽存储器（HBM）和四层单元（QLC）闪存的前景持乐观态度，但对非HBM存储器的需求回升却发出了警示。著名半导体分析师陆行之发现，上游DRAM厂商将大量库存转移至下游模块厂商，导致第二季度库存激增，平均达到7.8个月，且许多公司库存长达9至11个月。一旦传统DRAM/闪存价格发生反转，库存损失将成为常态。
根据机构的分析，尽管年初有回暖预期，但PC和智能手机需求的恢复情况不佳，加之厂商对市场状况的误判，导致今年存储器价格及出货量的增长未达预期。随着下半年需求回升困难，价格面临挑战的可能性增大。
中国台湾地区台经院的研究也表明，今年存储器市场的回暖有限。需求疲软且改善缓慢，预计要到2025年AI应用和PC更换潮带动市场回升。然而，目前AI应用仍在初期阶段，对2025年的市场情况仍不明朗，预计显著的市场反弹要到2026年才会出现。
陆行之在其社交媒体上指出，除了能生产HBM的存储器厂商（如SK Hynix、美光、三星）外，这些厂商的盈利率有明显回升。其他PC及消费电子产品的存储器公司近期营收不如预期，并且普遍处于亏损状态或亏损边缘。
特别是存储器厂商将大量库存转给下游模块厂商，使得台湾的存储器模块产业在第二季度的平均库存达到7.8个月，部分公司库存更长达9至11个月。如果传统DRAM/闪存价格发生反转，认列库存损失将成为常态。
陆行之还指出，非HBM存储器厂商的周期股目前似乎尚未进入上升周期，或者在未来12个月内不会再有上升周期。这引发了对存储器行业未来是否会再出现周期的担忧。