力积电喜迎双重突破 3D芯片堆叠与2.5D中介层获广泛认可

中国台湾力积电宣布，其Logic-DRAM多层芯片堆叠技术和高密度电容IPD的2.5D中介层已获得客户认证并投入使用。
力积电指出，AMD等国际科技巨头将利用其Logic-DRAM多层芯片堆叠技术，结合一线芯片代工厂的先进逻辑工艺，开发高频宽、高容量、低功耗的3D AI芯片。这些芯片将用于大型语言模型人工智能（LLM_AI）应用及AI个人电脑（PC），提供低成本、高效能的解决方案。
此外，针对GPU与HBM（高频宽存储器）高速传输的需求，力积电推出的高密度电容IPD的2.5D中介层也已获得国际大厂的认证，并将在铜锣新厂实现量产。
力积电与工研院合作开发了全球首款专为生成式AI应用设计的3D AI芯片，荣获2024年World R&D100 AI芯片大奖。面对当前HBM市场供不应求的挑战，力积电在今年SEMICON Taiwan大展上展示了其3D芯片堆叠的Logic-DRAM芯片制程技术。使用这一创新制程生产的3D AI芯片，已在人工智能推理系统中表现出数据传输频宽是传统AI芯片的10倍，功耗仅为其七分之一。
力积电透露，公司凭借在存储器和逻辑两大制程平台的技术优势，近年来在全球范围内积极研发3D芯片堆叠的Logic-DRAM芯片制程技术。该公司目前已与美国AMD、日本GPU芯片设计公司及多家国际系统大厂合作，利用其Logic-DRAM多层芯片堆叠技术与一线代工厂的先进逻辑工艺，共同开发新型3D AI芯片。这些芯片将充分发挥3D芯片堆叠的优势，为庞大的大型语言模型人工智能（LLM_AI）市场和新兴的AI个人电脑需求，提供高性价比的创新解决方案。
力积电表示，针对不同客户的AI芯片设计需求，公司的合作伙伴爱普公司将设计定制化DRAM芯片。通过Logic-DRAM多层芯片堆叠技术，新款3D AI芯片在相同单位面积上提供高达100倍的传输频宽和更大的存储容量。考虑到GPU和HBM价格高昂且供不应求，这些芯片对提升效能、降低成本和功耗的LLM_AI应用及AI PC市场具有重要吸引力。
此外，为支持GPU与HBM2E、HBM3高频宽存储器的传输需求，力积电根据客户要求开发的2.5D中介层与高密度电容IPD产品已通过国际大厂认证，目前公司正积极在铜锣新厂建设生产线，以满足客户需求并加速量产。