​SK海力士计划于9月底开始量产12层HBM3E芯片

全球第二大存储器芯片制造商SK海力士于周三（4日）宣布，将于9月底开始大规模生产高频宽存储器HBM3E 12层芯片。SK海力士总裁兼人工智能基础设施部门负责人Justin Kim在中国台湾台北举行的Semicon Taiwan行业论坛上发布了这一消息。
今年7月，SK海力士披露了其计划，从第四季度开始发货下一代HBM芯片，即12层HBM3E，并于2025年下半年开始发货HBM4。

高频宽存储器（HBM）是一种动态随机存取存储器（DRAM），于2013年首次制定标准。该标准采用垂直堆叠的芯片结构，以节省空间并降低功耗，能够处理复杂的人工智能（AI）任务。HBM芯片也是人工智能图形处理单元（GPU）的关键组件，帮助处理大量数据。

SK海力士在HBM市场的战略部署
SK海力士总裁Kim Ju-Seon（Justin Kim）以“释放AI存储技术的潜力”为题，介绍了SK海力士现有的存储器产品和HBM相关产品。在Semicon Taiwan上，他还宣布，将于本月底开始量产12层HBM3E芯片，标志着在HBM技术领域的重要进展。
Kim Ju-Seon指出，中国台湾在全球半导体产业中的重要性日益增加。媒体频繁讨论AI、半导体和ChatGPT等话题，这些都是新兴的革命性技术，尚在初期阶段。中国台湾和韩国是全球对半导体最为重视的地区，因此双方的合作不仅对业务有利，也能共同解决技术挑战。
他提到，目前AI领域面临的挑战还处于初级阶段，未来将发展到第五级，届时AI将能够在智力和情感层面与人类进行交流。当前主要挑战包括电力供应、冷却和存储器频宽需求。
Kim Ju-Seon指出，电力短缺是当前最大的挑战。预计数据中心所需电力将是当前的两倍，单靠可再生能源难以满足需求。电力需求增加也会带来额外的热量，因此需要更高效的散热解决方案。SK海力士正在致力于开发能效更高、功耗更低、容量更大的AI存储器，并针对不同应用推出相应的解决方案。

此外，Kim Ju-Seon分享了最新的HBM3E技术，称SK海力士是首家生产8层HBM3E芯片的供应商，并将在月底开始大规模生产12层HBM3E。除了HBM3E，SK海力士还介绍了最新的DIMM、企业级SSD（QLC eSSD）、LPDDR5T、LPDDR6、GDDR7等产品。

全球布局及未来计划
Kim Ju-Seon还提到，SK海力士在韩国龙仁市建立了新设施，预计到2027年新厂将开始量产，使龙仁成为全球最大、最先进的半导体产业聚集区之一。同时，SK海力士还计划在美国印第安纳州投资建设新厂，计划于2028年投入运营，专注于HBM先进封装技术。
最后，Kim Ju-Seon表示，SK海力士将专注于AI业务，致力于以AI为中心构建基础架构，整合电力、软件、玻璃基板和浸没式冷却技术。公司希望成为生态系统中的核心角色，与合作伙伴共同克服挑战，在AI时代实现目标。