三星1b纳米RAM良率仅为50%，Galaxy S25系列开发受阻

韩国媒体ZDNET Korea报道，三星电子MX部门对DS部门提供的1b纳米（即12纳米级）LPDDR RAM的供应进度表示担忧。这款RAM是Galaxy S25系列智能手机的关键组件。三星于2023年5月开始量产1b纳米工艺的16GB DDR5 RAM，并于同年9月推出了32GB DDR5版本，同时持续进行1b纳米LPDDR RAM的内部研发。
然而，早在6月11日，韩国媒体就曾报道三星1b纳米DRAM产品的良率不足50%。最新消息显示，DS部门原计划在8月之前向MX部门提供12GB和16GB的1b纳米LPDDR RAM样品，以支持Galaxy S25系列智能手机的开发，但这一计划未能如期完成。
消息人士称，三星1b纳米LPDDR RAM的良率低于预期，导致内部供应链出现延迟。MX部门对此表示异议，并重新评估了Galaxy S25系列智能手机的DRAM采购方案。
通常情况下，RAM生产的良率需要达到80%才能确保稳定且经济的批量生产与供应。三星1b纳米LPDDR RAM的供应问题表明其良率远低于这一标准，生产面临严重挑战。