三星与台积电联合开发下一代HBM4

三星电子计划与芯片代工巨头台积电合作，共同研发新一代高频宽存储器——HBM4。这将是两家公司首次在此领域展开合作。
根据韩国经济日报和BusinessKorea的报道，台积电生态与联盟管理负责人Dan Kochpatcharin在《SEMICON Taiwan 2024》上透露，双方正在开发一款无缓冲的HBM4芯片。他表示，随着存储器工艺的日益复杂，合作变得前所未有的重要。
高频宽存储器（HBM）是一种先进的DRAM，其处理速度比传统存储器更快，对人工智能（AI）的发展至关重要。HBM4是第六代HBM，三星、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron Technology）等主要存储器制造商预计最快于2025年实现量产，供应英伟达（Nvidia）等AI芯片设计公司。
分析人士指出，若三星与台积电决定联合开发无缓冲HBM4，这将是两家公司在AI芯片领域的首次合作。
报道提到，三星和台积电将从第六代HBM4开始合作。三星计划在明年下半年实现HBM4量产，并通过双方合作，为英伟达、Google等客户提供定制化芯片与服务。
据悉，三星打算提供一站式服务，从DRAM生产到逻辑芯片制造、先进封装服务一应俱全。然而，三星也考虑使用台积电的技术，因为部分客户偏好台积电生产的逻辑芯片。
三星正在加紧追赶HBM领域的领导者SK海力士。根据机构统计，SK海力士在HBM市场的份额达到53%，而三星为35%。SK海力士早在4月就宣布将与台积电合作生产HBM4芯片，预计于2026年量产。
三星总裁及存储器事业部负责人Jung-bae Lee在Semicon Taiwan 2024上表示，为了最大化AI芯片的性能，定制HBM是最佳选择。他透露，三星正在与其他代工厂合作，提供超过20种定制化解决方案。
Lee还在论坛的执行长峰会上指出，虽然三星的系统LSI与存储器部门负责芯片设计与制造，但公司也将利用其他代工厂的产能，将HBM的性能提升到极致。他表示，传统存储器工艺对HBM性能的提升作用有限。