三星揭示AI对存储器产业的深远影响

4日，三星电子总裁及存储器业务主管Jung-Bae Lee博士在半导体展大师论坛上发表演讲，他用四个数字阐述了人工智能（AI）对全球的重大影响，并探讨了AI对存储器行业的未来和创新。

Jung-Bae Lee在演讲中首先展示了四个数字：1966、200、1600和800，并邀请与会者猜测这些数字的含义。

第一个数字1966代表的是麻省理工学院的Joseph Weizenbaum博士在1966年开发的第一个聊天机器人ELIZA。而在2022年，基于GPT-3.5的ChatGPT问世，其参数数量已达到惊人的1.75亿个。从那时起，生成式人工智能迅速改变了世界。

数字200则代表2023年AI加速器在一天内在GPU和存储器之间传输的数据量达到了200ZB（泽字节），是2019年的六倍，并且这一差距预计将继续扩大。

1600表示预计2024年高频存储器（HBM）的出货量将达到1600亿GB，相当于2016至2023年八年总和的两倍。

数字800则预示到2027年市场规模将达到8000亿美元，相比2023年的5300亿美元大幅增长。2021年市场产值达到5000亿美元用了四年时间。

不过，AI的发展也给存储器行业带来了新的挑战。Jung-Bae Lee列出了三大挑战：AI模型训练导致的电力消耗激增、存储器带宽的需求增加以及存储容量的紧张。

三星已针对AI推出了多种存储器产品，包括DDR和SSD等。最引人注目的是三星在6月发布的前瞻性3D HBM封装技术。

在论坛上，Jung-Bae Lee首次公开了3D HBM封装架构，并介绍了如何解决AI时代存储器产业面临的诸多难题。

“创新的存储器架构类似于V-NAND（三星开发的双次堆叠技术），但需要独立的电容器，使得堆叠技术面临更多挑战，我们正在开发超越2D架构的结构。”Jung-Bae Lee表示。

随着人工智能模型的不断增长，对存储器带宽和容量的需求也在增加，同时功耗问题也越来越严重。三星发现，HBM和GPU之间的数据传输是主要的功耗来源。

因此，三星计划引入创新结构，在HBM内集成加速器，以最大限度减少GPU和HBM之间的数据传输。Jung-Bae Lee自豪地提到，2013年三星首次成功量产V-NAND，创造了行业历史；现在，三星通过V-NAND实现千层以上堆叠，并正在开发下一代称为铜混合键和（HCB）的堆叠技术。

“生态系统范围内的合作至关重要！”Jung-Bae Lee强调，三星具备全球半导体市场上唯一的整体解决方案，涵盖从设计和制造到封装的全链条业务。