SK 海力士计划将 DRAM 生产线转型为 HBM3E 生产线，预计 2025 年底开始量产

根据韩国媒体 TheElec 的报道，由于市场对高带宽存储器（HBM）的需求不断增长，SK 海力士计划将其在韩国利川的 M10F DRAM 生产线转型为 HBM3E 生产线。
报道称，该生产线正在进行改造，以满足 HBM3E 的生产要求。预计改造工程将在2025年第一季度完成设备安装，并于2025年第四季度正式开始生产 HBM3E。
目前，SK 海力士正向英伟达、Google 和亚马逊等主要人工智能公司提供用于人工智能推理的存储器。公司之前曾表示，正在收到来自主要科技企业的定制 HBM 订单。改造后的 M10F 生产线每月的 HBM 生产能力将达到10,000片。尽管如此，由于该生产线相对于SK 海力士的其他 HBM 生产线规模较小，因此 M10F 的投产将使 SK 海力士的整体 HBM 产能增加至每月150,000片。
此外，消息人士指出，SK 海力士在完成 M10F 生产线的转型后，短期内可能不会进一步扩张 HBM 产能。这是因为竞争对手三星和美光正在扩充 HBM 产能，而中国某存储器厂也宣布了其 HBM 生产计划。因此，目前市场上已有足够的 HBM 产能以满足需求。对此，SK 海力士表示，公司希望将大部分产能集中于最新一代 HBM 的生产，并逐步淘汰旧款产品。