三星电子宣布首款1Tb QLC第九代V-NAND正式量产

三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产

三星电子今日宣布，其首款1TB四层单元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式进入量产阶段。今年四月，三星也启动了三层单元（TLC）第九代V-NAND的量产。此次QLC第九代V-NAND的量产进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“在距上次TLC版本量产仅四个月后，我们成功启动了QLC第九代V-NAND的量产，这使我们能够提供满足人工智能时代需求的完整SSD解决方案。随着企业级SSD市场对人工智能应用需求的不断增加，我们将通过QLC和TLC第九代V-NAND继续巩固三星在这一领域的市场地位。”

三星计划将QLC第九代V-NAND的应用范围从品牌消费类产品扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，以服务包括云服务提供商在内的广泛客户群体。

技术突破亮点：

通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching）在双堆栈架构下实现了当前业内最高的单元层数。三星运用在TLC第九代V-NAND中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，使得存储密度较上一代QLC V-NAND提升了约86%。

预设模具技术（Designed Mold）通过调整存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层及层间存储单元的特性一致。由于V-NAND层数的增加，存储单元特性变得更加重要。采用该技术使得数据保存性能比之前版本提升了约20%，显著增强了产品的可靠性。

预测程序技术（Predictive Program）能够预测并控制存储单元状态变化，减少不必要的操作，使第九代QLC V-NAND的写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60%。

低功耗设计技术（Low-Power Design）使得数据读取功耗分别下降约30%和50%。该技术通过降低驱动NAND存储单元所需电压，仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。