工信部公开推广两款国产DUV光刻机！能生产8纳米及以下芯片

中国工业和信息化部近日发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》通知。该目录涵盖了多项国家重点技术装备，包括国产氟化氩光刻机（65nm）和氟化氪光刻机（110nm）。
根据“工信微报”介绍，重大技术装备涉及国家的综合实力和安全。中国首台（套）重大技术装备指的是国内实现重大技术突破并拥有自主知识产权的设备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件。
在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，集成电路设备部分提到，氟化氩光刻机的光源为193纳米，分辨率达到65纳米，套刻精度≤8纳米。
氟化氪（KrF）和氟化氩（ArF）气体用于深紫外（DUV）光刻机，产生深紫外光的准分子激光器。目前，光刻机已发展至第五代，从最早的436波长到目前的193纳米ArF准分子激光。
ArF光刻机的实际波长可缩短至134纳米，NA值为1.35，理论上能实现7纳米制程节点。本次推广的氟化氩光刻机，套刻精度≤8纳米，预计能够量产28纳米工艺的芯片。
28纳米光刻机标志着芯片制造的技术门槛，意味着中国在空调、洗衣机、汽车等工业品领域的自主生产能力得到提升，突破了西方国家的技术封锁。
中国工信部的公告显示，这台国产DUV曝光机具有重大技术突破，能够生产8纳米及以下芯片，并正在推广应用。这标志着中国在半导体制造领域迈出了重要一步，尽管与荷兰阿斯麦（ASML）的曝光机仍有差距，但已填补了关键空白。
美国近期收紧了对先进半导体设备的出口管制，荷兰也扩大了相关限制。未来，中国如果实现更多8纳米及以下制程的DUV曝光机生产，将减少对ASML的依赖。不过，目前尚未有中国官方或厂商对此做出正式声明。