三星推迟南韩晶圆代工扩产计划 专注提升HBM记忆体产能

据市场消息，三星电子决定暂缓在平泽P4晶圆代工厂的产能扩充，转而专注于NAND Flash和高频宽记忆体（HBM）的生产。

三星电子之前已决定暂停平泽P4工厂第二期晶圆代工生产线的建设。预计NAND Flash的P4一期产线将很快投产，第三期产线目前正在建设中，预计将在中秋节后安装电力设备等基础设施。

此外，业界还传出三星在美国德州泰勒工厂的设备投资将再延迟一个季度。

外界认为，三星在全球晶圆代工厂的投资计划面临比预期更多的延迟。主要原因是三星对其先进制程在由台积电等行业领导者主导的竞争激烈市场中的竞争力存在不确定性。这一挑战促使三星调整了计划，推迟了晶圆代工厂的建设和设备采购。

三星正在扩建的主要晶圆代工项目包括南韩的P4工厂和美国德州泰勒工厂。这些工厂最初旨在支持4纳米、3纳米甚至2纳米技术的量产。

在南韩方面，三星最初计划于2022年开始建设平泽P4工厂，该工厂设计为与P3工厂类似的多用途设施。规划中，第一阶段生产NAND Flash，第二阶段用于晶圆代工，第三和第四阶段用于生产DRAM。

然而，由于市场状况的变化，三星目前计划将P4工厂第二阶段的晶圆代工产线转为生产HBM和NAND Flash。业界指出，三星调整了优先级，决定首先建设记忆体产线，而推迟晶圆代工产线的建设。