全新国产DUV光刻机曝光：“套刻≤8nm”是个什么水平？

近日，国产DUV光刻机因“套刻≤8nm”引发误解。实际上，其分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm，属干式DUV光刻机，非浸没式。光刻精度取决于分辨率，65nm分辨率意味着单次曝光可达约65nm工艺制程节点。套刻精度是各层光刻图案间的对准精度。
尽管采用多重曝光技术，65nm分辨率的ArF光刻机可能推进至55nm制程，但套刻精度误差可能导致良率降低。目前这款国产DUV光刻机仅适用于55-65nm成熟制程芯片制造，远未达到28nm制程要求。总之，这款65nm分辨率的国产DUV光刻机虽有进步，但与国外先进水平仍有差距。
《芯智讯》报道称，有人误认为国产光刻机“套刻≤8nm”可生产8纳米晶片，实则错误。工信部公布的“首台（套）重大技术装备推广应用指导目录”中，全新自制DUV光刻机解析度为≤65nm，套刻精度≤8nm。未达到生产28纳米晶片程度。65nm的光刻解析度、“套刻精度”≤8nm，最多能做到55nm制程。也就是说，国产DUV光刻机性能低于ASML 九年前出货的XT：1460K。