三星量产1TB QLC第9代V-NAND，引领AI服务器存储革新

三星电子近日宣布，已率先实现1TB QLC第9代V-NAND的大规模生产，这一里程碑事件标志着公司在高容量AI服务器存储市场的领先地位。V-NAND技术以其垂直堆叠的存储单元结构著称，而QLC结构则赋予每个存储单元最多容纳4位数据的能力。
与前代产品相比，这款新型QLC NAND闪存在数据写入速度上实现了翻倍，同时功耗降低了50%。这一进步得益于AI学习对SSD需求的快速增长，三星借此进一步巩固了其在高性能、高容量NAND市场的领导地位。
今年4月，三星已率先量产采用TLC技术的第3代V-NAND。如今，QLC版本的推出，显示了公司在存储技术领域的持续创新。据机构预测，QLC NAND的市场份额将在今年达到NAND闪存总出货量的20%，并在明年继续增长，主要受高性能、高容量存储设备需求的推动。
第9代V-NAND的性能优势得益于其高效的存储单元垂直堆叠技术。通过预测存储单元状态变化，该技术有效减少了不必要的操作，从而实现了数据写入性能100%的提升以及输入输出速度60%的增长。同时，低功耗设计技术也显著降低了读写数据的功耗。
三星内存事业部执行副总裁Heo Seong-Hoi表示：“我们在TLC第9代NAND量产仅四个月后，便成功实现了QLC V-NAND的量产，这标志着我们已经完成了构建高性能、高容量AI SSD所需的完整最新产品阵容。”