迎向AI时代 三星领先业界量产QLC第九代V-NAND
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-09-24
- 新型QLC V-NAND集多项突破性技术于一身
- 包括以双堆叠结构实现业界最高层数的Channel Hole Etching
- 业界首款QLC和TLC第九代V-NAND为多元AI应用提供最佳记忆体
全球先进记忆体技术领导品牌三星电子宣布已开始量产1Tb QLC（quad-level cell）第九代垂直NAND（V-NAND）。
继今年4月领先业界投产TLC（triple-level cell）第九代V-NAND，三星再次独步全球，量产QLC第九代V-NAND，巩固其在高容量、高效能NAND快闪记忆体市场的领导地位。
三星电子执行副总裁暨快闪记忆体产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“距离TLC版本投产仅四个月时间，QLC第九代V-NAND即顺利启动量产，三星以一应俱全的高阶SSD解决方案，满足AI时代的需求。随着企业级SSD市场快速崛起，带动AI应用需求强劲，我们将继续透过QLC与TLC第九代V-NAND，巩固三星在产业的领导地位。”
继今年4月领先业界投产TLC（triple-level cell）第九代V-NAND，三星再次独步全球，量产QLC第九代V-NAND，巩固其在高容量、高效能NAND快闪记忆体市场的领导地位。
三星电子执行副总裁暨快闪记忆体产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“距离TLC版本投产仅四个月时间，QLC第九代V-NAND即顺利启动量产，三星以一应俱全的高阶SSD解决方案，满足AI时代的需求。随着企业级SSD市场快速崛起，带动AI应用需求强劲，我们将继续透过QLC与TLC第九代V-NAND，巩固三星在产业的领导地位。”
三星计划扩大QLC第九代V-NAND的应用范畴，从旗下的消费性电子产品，延伸至行动通用快闪记忆体（UFS）、PC和伺服器SSD，造福云端服务供应者在内的消费族群。
三星QLC第九代V-NAND技术登峰造极，集多项创新于一身：
- 采用三星傲视群伦的通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching），以双堆叠架构实现业界最高层数。借助TLC第九代V-NAND累积的技术经验，优化储存单元面积与周边电路，位元密度较前代QLC V-NAND提升近86%。
- 以预设模具（Designed Mold）技术调整控制储存单元的字线（WL）间距，确保层内、层与层之间的特性一致与最佳化。随着V-NAND层数增加，该等特性愈发重要。相较于前代版本，该技术可提升近20%的资料保存效能，进一步强化产品的可靠性。
- 借助预测程式（Predictive Program）技术预测、控制储存单元的状态变化，最小化不必要的操作。
- 得益于该技术的大跃进，三星QLC第九代V-NAND写入效能提升一倍，数据输入／输出速度提升60%。得益于低功耗设计（Low-Power Design），数据的读取与写入功耗，分别降低了约30%和50%。其透过仅感应必要位线（BL）的运作原理，减少驱动NAND储存单元所需电压，实现功耗最小化。
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