SK海力士全球首发12层堆叠HBM3E闪存

韩国存储器巨头SK海力士于26日宣布，已率先在全球实现12层堆叠HBM3E闪存的量产，这一创举达到了现有HBM产品中最大的36GB容量。
SK海力士表示，高频宽存储器（HBM）是一种高附加值、高性能的闪存。与传统的DRAM产品相比，它通过垂直互联多个DRAM芯片，显著提升了数据处理速度。该系列产品按照HBM第一代至第五代的顺序不断演进，其中HBM3E是HBM3的升级版。
据悉，现有的HBM3E最大容量为24GB，由8颗3GB DRAM芯片堆叠而成。SK海力士计划在2024年底前向市场推出相关产品，这距离其在2024年3月率先推出8层堆叠HBM3E闪存仅半年时间，再次展现了其卓越的技术实力。
SK海力士强调，自2013年全球首发第一代HBM闪存以来，公司已成功开发并供应全系列HBM产品。此次率先量产12层堆叠产品，在速度、容量和稳定性等方面均达到全球领先水平，不仅满足了AI企业的需求，也进一步巩固了其在AI存储器市场的领导地位。
此外，SK海力士通过采用先进技术和创新工艺，成功解决了晶片堆叠过程中的结构性问题，确保了产品的稳定性和可靠性。公司表示将继续研发下一代存储器产品，以应对AI时代的挑战。