2025年HBM存储器市场如何？

随着人工智能技术的快速发展，作为AI领域的关键组件，高带宽存储器（HBM）正受到市场的密切关注。然而，近期有分析指出，HBM可能在2025年面临供应过剩的风险。据机构研究分析，尽管多家制造商计划在明年大规模生产HBM3e 12hi产品，但由于生产学习周期较长，目前尚难以判断是否会形成产能过剩的局面。机构对存储器市场的预测保持不变，预计到2025年，HBM将占DRAM总比特产出的10%，较2024年增长一倍。
三星、SK海力士和美光等主要存储器制造商已经分别在2024年上半年和第三季度提交了首批HBM3e 12hi样品，并正在进行持续验证。其中，SK海力士和美光的进展较快，预计今年年底完成验证。
市场有传言称，部分DRAM供应商正在积极扩充硅通孔（TSV）工艺产能，这可能导致2025年出现供应过剩和价格下跌。根据韩国两家主要DRAM制造商目前的TSV产能提升计划，三星计划从2024年底的每月120K增加到2025年底的每月170K，增幅超过40%，而SK海力士在同一时期的月产能预计提升25%。但由于产品尚未完全通过验证，产能提升计划是否能实现还有待观察。
从HBM3和HBM3e的量产经验来看，8hi产品的良品率至少需要两个季度的学习周期才能稳定。因此，随着市场需求快速转向HBM3e 12hi产品，预计学习周期也不会明显缩短。此外，英伟达的B200、GB200和AMD的MI325、MI350都将采用HBM3e 12hi，由于整机成本较高，对HBM的稳定性要求将更加严格，这将成为HBM3e 12hi量产过程中的一个不确定因素。
机构预测，受AI平台积极采用新一代HBM产品的推动，2025年HBM的需求量将有超过80%集中在HBM3e世代产品上，其中12hi的占比将超过一半，成为下半年AI主要竞争厂商争相订购的主流产品，其次是8hi。因此，即使出现供应过剩的情况，最有可能发生在HBM2e、HBM3等旧世代产品上。至于对各DRAM供应商的影响程度，将取决于各自的产品组合。
机构对存储器产业的展望保持不变，预计2025年HBM将贡献10%的DRAM总比特产出，较2024年增长一倍。由于HBM的平均单价较高，预计对DRAM产业总市值的贡献度将超过30%。