HBM市场需求激增 三星预计2025年将增长超一倍

尽管科技行业对消费电子领域的终端应用持保守态度，但在人工智能（AI）应用方面却展现出强劲的需求。三星电子预测，到2025年，全球对高频宽存储器（HBM）的需求将同比增长超过一倍。
此前，美光也宣布其2024年和2025年的HBM产能已全部售罄。外资券商摩根士丹利曾预测，尽管AI需求依然强劲，但由于传统终端市场的疲软，存储器价格出现下滑，第四季度的存储器市场将更具挑战性。摩根士丹利担心，到2025年可能会出现趋势逆转，DRAM市场将供过于求，这种情况可能会持续到2026年。
然而，三星电子仍然对AI浪潮推动HBM需求的大幅增长持乐观态度。该公司预计，明年全球HBM需求将增加一倍，达到250亿GB，占整体DRAM销售比重的28%，高于今年的16%。此外，定制化AI存储器市场的总容量预计将在2028年达到2294亿GB，较去年大幅增长16倍。预测显示，从2024年到2029年，服务器DRAM需求将以年均27%的速度增长，在2024年至2027年间将达到58%的增长率。
美光已经开始送样HBM3E 12-high 36GB产品，并计划在2025年第一季度大量生产并交货。在HBM4方面，随着HBM性能的持续提升，其消耗的DRAM芯片数量也将不断增加。
美光已将2025年HBM整体市场规模上调至250亿美元。如果美光能在HBM市场上达到与DRAM市场相同的市占率，那么其2025年的HBM营收有望达到60亿美元。
投资顾问机构贝恩公司（Bain & Co.）预计，到2026年，HBM需求将较去年增长60%至65%，NAND Flash需求将较去年增长30%至35%。