存储器厂商增加TSV产能引发HBM市场供需担忧

随着人工智能技术的快速发展，对高性能存储器的需求不断上升，特别是高带宽存储器（HBM）市场。然而，近期有市场调研机构指出，DRAM供应商增加硅通孔（TSV）工艺产能可能导致2025年HBM出现供过于求的情况，进而影响价格。
据机构分析，尽管市场对2025年HBM供过于求的担忧加剧，但由于HBM3e 12hi的量产难度和学习曲线较长，目前尚无法确定是否会真正出现产能过剩。机构对DRAM产业的展望保持不变，预计2025年HBM将占DRAM总比特产出的10%，较2024年增长一倍。
三星、SK海力士和美光等主要存储器制造商已经提交了首批HBM3e 12hi样品，并正在进行持续验证。其中，SK海力士和美光的进展较快，预计今年年底完成验证。
机构还提到，从HBM3与HBM3e世代的量产历程来看，8hi产品的良率至少需要两个季度的学习曲线才能稳定。因此，市场需求转向HBM3e 12hi产品时，学习曲线也不太可能明显缩短。此外，由于英伟达B200、GB200和AMD MI325、MI350等产品都将采用HBM3e 12hi，整机造价高昂，对HBM的稳定性要求更加严格，这可能成为HBM3e 12hi量产过程中的一个变数。
机构预估，受AI平台积极采用新一代HBM产品的影响，2025年HBM的需求量将有超过80%集中在HBM3e世代产品上，其中12hi的占比将超过一半。即便出现供过于求的情况，也最有可能发生在HBM2e、HBM3等旧世代产品上。至于对各DRAM供应商的影响程度，将取决于各自的产品组合。
总体来看，尽管存在供过于求的担忧，但HBM市场的发展仍受到人工智能技术推动的积极影响。未来市场的具体走向，将取决于技术进步、市场需求和供应商之间的竞争态势。