台积电2nm工艺技术突破与成本上升

中国台湾台积电在2nm工艺技术方面取得了显著进展，预计将引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术，这是半导体行业的一个重要里程碑。此外，N2工艺结合了NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了更高的灵活性和标准元件选择。
与现有的N3E工艺相比，新的N2工艺有望在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。晶体管密度也将提升15%，这将进一步巩固台积电在半导体技术领域的领先地位。
然而，技术的进步往往伴随着成本的增加。据预测，台积电每片300mm的2nm晶圆价格可能超过3万美元，远高于之前预估的2.5万美元，以及当前3nm晶圆的价格区间约为1.85万至2万美元，4/5nm晶圆的价格在1.5到1.6万美元之间。
为了满足市场对2nm工艺技术的强烈需求，台积电正在加大对该制程节点的投资力度，并计划在中国台湾的北部、中部和南部三地布局2nm晶圆厂，以确保产能满足市场需求。
新工艺的引入意味着更多的极紫外光刻（EUV）步骤，可能还会采用双重曝光技术，这将进一步提升生产成本，使其高于3nm制程节点。
台积电计划在2025年下半年开始N2工艺的批量生产，预计客户最快可在2026年前收到首批采用N2工艺制造的芯片，其中苹果公司很可能是首个采用这一先进工艺的客户。