三星加速推进2纳米芯片量产计划

三星电子正全力推进其2纳米及以下制程芯片的量产计划，以加强其在全球晶圆代工市场的竞争力。韩国媒体BusinessKorea报道称，三星的晶圆代工部门正在加快建立相关产线，以实现2纳米芯片的量产。
据悉，三星在华城工厂的S3代工线上引入了大量新设备，目标是在明年第一季度实现每月7000片晶圆的量产。此外，三星还计划在平泽第二工厂的S5装置一条1.4纳米制程产线，预计每月产能将达到2000至3000片晶圆。三星还计划在明年年底前，将S3上的剩余3纳米产线全部转换为2纳米产线。
这些措施是三星技术路线图战略的一部分，旨在通过在明年量产2纳米制程芯片，并在2027年量产1.4纳米制程芯片，以追赶其竞争对手台积电。
三星原计划在今年年底前在美国德克萨斯州泰勒工厂投产，但据悉该工厂的设备安装已推迟至2026年以后。这一延迟反映了三星在最先进的制程上面临的挑战，包括良率不高和争取客户的困难。目前，三星3纳米制程的生产率尚未达到足以支持量产的水平，这导致了可靠性问题。
此外，三星电子系统LSI部门的下一代Exynos芯片“Tethys”将进行测试，评估相关测试可能还包括高通、日本Preferred Networks（PFN）和影像处理器开发商安霸（Ambarella）的芯片。
业界人士强调了这些进展的重要性，指出在3纳米Exynos芯片延期等不利因素的影响下，确保2纳米制程的顺利进展对三星晶圆代工业务至关重要。
半导体行业的竞争格局，尤其是与台积电的竞争，凸显了三星晶圆代工部门投资2纳米以下制程技术的紧迫性。三星快速推进高端技术发展的另一个原因是提高良率，并保持与高通、PFN和安霸等关键客户的合作关系。