SK海力士启动12层HBM3E芯片量产，向ASMPT采购键合设备

SK海力士公司已宣布启动12层高带宽存储器（HBM）3E的全球首次量产。据韩国媒体报道，SK海力士已向半导体和电子设备制造商ASMPT下达了大量热压缩（TC）键合设备的订单。
据知情人士透露，SK海力士已订购超过30台设备，用于生产12层HBM3E。TC键合设备对于HBM的生产至关重要，特别是在垂直堆叠多个DRAM芯片模组时。
SK海力士表示，公司计划堆叠12颗3GB DRAM芯片，以实现与现有8层产品相同厚度的同时，将容量提升50%。为实现这一目标，公司将单个DRAM芯片制造得比以往薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）进行垂直堆叠。
SK海力士还解决了变薄芯片堆叠时产生的结构性问题，并采用了MR-MUF（批量回流底部模制填充）技术来粘合HBM存储器。这项技术具有低压、低温键合和批量热处理的优势，其散热性能比上一代提高了10%，并更好地控制了翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。
在测试过程中，SK海力士确定ASMPT的设备性能优于韩国半导体设备制造商Hanmi Semiconductors的设备。Hanmi Semiconductors上个月表示，已成立一个40人团队，专门为SK海力士提供售后服务，这可能是因为其设备性能不佳。
Hanmi Semiconductors曾主导SK海力士TC键合设备的供应，但在ASMPT和韩华精密机械等竞争对手进入市场之前。尽管韩华精密机械尚未通过SK海力士的测试，但也已提交了自己的设备进行测试。
12层HBM3E将与英伟达的Blackwell以及AMD的MI325、MI350等人工智能加速器配合使用。研究机构预计，到2025年，HBM3E将占HBM需求的80%，其中一半将来自12层HBM。
SK海力士强调，公司是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司在业界率先成功量产12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业的日益增长需求，也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导地位。
SK海力士AI Infra负责人指出，“我们再次突破了技术壁垒，证明了在面向AI的存储器市场中独一无二的主导地位。为了迎接AI时代的挑战，我们将稳步准备下一代存储器产品，以巩固‘全球顶级面向AI的存储器供应商’的地位”。