SK海力士分析：DRAM盈利潜力或将超越HBM

SK海力士对于市场对HBM产能紧张的担忧提出了独到见解，认为HBM的生产特性与DRAM有显著差异，不应简单将投资增加与供给过剩等同。HBM的生产效率相对较低，晶圆尺寸较大，这些因素共同限制了其产量。
SK海力士指出，HBM3e每年需根据客户需求进行性能改善。增加芯片堆叠层数，如从8层提升至12层，将进一步限制生产效率。在HBM4世代之前，芯片堆叠主要用于连接图形处理器（GPU）与DRAM，而HBM4世代预计将于2026年开始，将能够满足客户对低功耗等定制化功能的需求，这将进一步提高工艺难度，限制产量提升。
SK海力士进一步分析，如果HBM产能持续紧张，同时DRAM需求恢复加速，DRAM的盈利能力有可能会超过HBM。这是因为DRAM市场具有不同的结构性和量产特性，其生产过程经过多年优化，已经具备较高的效率和稳定的供给。
此外，随着技术的进步，DRAM在性能和功耗方面也在不断提升，这可能会增强其在市场上的竞争力。SK海力士的这一观点反映了公司对存储器市场动态的深入理解，以及对未来技术发展趋势的预判。
总体而言，SK海力士认为，DRAM作为一种成熟且广泛使用的存储技术，其盈利潜力在特定市场条件下可能超越HBM。这一观点为存储器市场的投资者和分析师提供了新的视角，也为行业的未来发展增添了不确定性。