ASML推进High NA EUV技术，英特尔完成第二套系统组装

在最近的SPIE大会上，ASML的新任首席执行官Christophe Fouquet发表了演讲，重点介绍了公司的High NA EUV曝光机技术。Fouquet透露，英特尔已经完成了第二套High NA EUV曝光机的组装工作。
Fouquet指出，与现有的标准EUV曝光机相比，High NA EUV曝光机不太可能出现延迟交付的情况。ASML已经开发了一种新的组装扫描器子组件的方法，即直接在客户工厂进行安装，省去了拆卸和重新组装的步骤，这将显著节省ASML和客户的时间与成本，有助于加快High NA EUV曝光机的发货和交货流程。
随后，英特尔院士兼曝光技术总监Mark Phillips上台发言，确认英特尔在波特兰工厂已经安装了两套High NA EUV曝光系统。Phillips还公布了一些数据，显示High NA EUV曝光机相较于标准EUV曝光机带来的改进可能比预期的要多。
Phillips强调，得益于之前的经验，第二套High NA EUV曝光系统的安装速度比第一套更快。所有必要的基础设施已经准备就绪并开始运行，用于High NA EUV曝光的掩模检测工作也已按计划启动，使得英特尔能够顺利地将该系统投入生产。
此外，Phillips还讨论了化学放大抗蚀剂（CAR）和金属氧化物抗蚀剂的问题。他表示，尽管目前CAR仍能满足需求，但未来可能需要金属氧化物抗蚀剂。英特尔的目标是在2026至2027年量产Intel 14A制程技术，并将进一步提升制程技术。