2025年HBM市场展望：定制化需求推动产业增长

随着人工智能和高性能计算的快速发展，高带宽存储器（HBM）作为关键技术之一，其市场需求正受到业界的密切关注。据市场研究机构分析，HBM的定制化程度极高，需要通过英伟达、超微及ASIC方案商的验证后才能正式投入市场，这限制了供给量的增加。
HBM以其高速运算和大数据传输能力，成为存储器产业的焦点。目前，全球市场主要由三星、SK海力士和美光三家DRAM厂商主导。市场研究机构将关注点放在了这三家厂商的产能扩张情况，以及它们对整体DRAM供需和价格的影响。
市场研究机构预测，到2025年，HBM的主流规格将转向8层和12层的HBM3E。特别是12层的HBM3E，预计将与英伟达的Blackwell系列以及超微的MI325、MI350等AI加速器配套使用。尽管市场上有关英伟达芯片延迟出货的传闻不断，但外资券商瑞银证券重申，三星和SK海力士的12层HBM3E预计将从2024年第四季度开始向英伟达供货。
瑞银证券还预测，由于客户咨询热度持续，2025年HBM的市场需求仍有增长空间，可能接近或超过其预测的223亿GB。此外，由于HBM的高定制化特性，需要通过英伟达、超微及ASIC方案商的验证，属于计划性生产，供给量的增加有限。
在制程方面，HBM的前端制程与DDR5共享，而后端的硅穿孔（TSV）和热压键合（TCB）等设备则专用于特殊用途。HBM供应商不会因为设备的折旧压力而生产过多产品，因此，预计2025年HBM出现供给过剩的可能性不大。
市场研究机构预计，三星、SK海力士和美光等三大DRAM厂商将在2025年致力于升级到1b／1β，甚至1c纳米制程，以满足服务器市场对下一代高带宽存储器HBM3E、128GB或更高DDR5模组的需求。与此同时，对于生产DDR4、DDR3等成熟制程的供给，三大DRAM厂商将继续减少，预计2025年DRAM市场的供需将保持平衡。