SK海力士启动HBM3E存储器量产，英伟达AMD成为首批客户

韩国存储器领军企业SK海力士宣布，已正式开启全球首款12层堆叠HBM3E存储器的量产工作，其总容量达到36GB，相较于之前8层配置的24GB有了显著提升。这一创新设计通过将每个DRAM芯片的厚度减少40%来实现，能够在堆叠更多层数的同时保持相同的体积。预计该产品将在2024年底开始大规模出货。
HBM3E存储器支持9600MT/s的数据传输速率，若采用八层堆叠配置，其有效速度可达1.22TB/s。这一性能提升使其在处理需要高速和大容量的生成式人工智能以及大规模语言模型（LLMs）工作负载时表现出色，更高的数据处理能力将使人工智能模型运行更有效率。
SK海力士的这一突破性产品预计将为高性能计算、人工智能和数据中心等领域带来显著的性能提升，满足日益增长的高速数据处理需求。英伟达和AMD等公司将成为HBM3E存储器的首批客户，这将进一步推动相关技术在各自领域的应用和发展。