DRAM和NAND闪存价格下跌，存储器市场面临需求减少

全球存储器芯片市场需求持续低迷，DRAM和NAND闪存价格在上月双双下跌。研究机构的最新报告预测，今年第四季度，只有高频宽存储器（HBM）的价格会出现上涨，而普通DRAM的价格预计将停滞不前。
本季度通用DRAM的价格预计将最多环比增长5%，甚至可能零增长。这一趋势主要是由于经济衰退导致消费者需求放缓，以及中国存储器制造商供应增加。然而，包括HBM在内的所有DRAM平均价格预计将环比增长8%至13%。
预测HBM在DRAM总营收中的比重将从去年的8%增加到今年的21%，明年则预计将超过30%。
9月份DDR4 8Gb 1Gx8模块价格下跌17.07%至1.7美元。自去年10月以来稳步上涨的DRAM价格在今年8月首次出现下跌，跌幅为2.38%，同期128Gb 16Gx8 MLC的价格下降了11.44%。消费者PC市场的兴趣有所下降，主要是由于消费者正在向下一代标准过渡，导致市场步伐在短期内放缓。
PC制造商的库存仍然很高，这意味着PC需求尚未恢复。第三季度PC出货量增长了4.4%，低于预期。然而，库存中的大部分产品都是DDR4，而不是较新的DDR5。
存储器制造商目前仍处于库存调整阶段，较旧的DDR4标准在市场上难以销售，而DDR5模块目前需求量很大。尽管DDR5正在成为行业主流，但它在取代DDR4的主导地位方面还有很长的路要走。
业界对未来存储器市场的走势判断出现分歧。摩根士丹利近日发布报告看跌DRAM市场，预期明年HBM市场可能供过于求。也有机构预计，在人工智能的推动下，明年存储器市场将实现显著增长。
厂商情况也出现分化。在美光科技发布亮眼财报的同时，有消息称存储器模组厂商金士顿已启动降价策略。今年底至明年初的存储器市场将受到人们的广泛关注。
与此同时，存储器行业的发展还受到新技术的影响。在高端HBM需求旺盛的同时，DRAM和NAND Flash等开始面临越来越严峻的挑战。而新兴存储技术如FeRAM、ReRAM、MRAM和PCM等则被寄予厚望。这些新兴技术的发展和应用，将对未来的存储器市场产生深远的影响。
总体而言，存储器市场在季度增长方面看起来相当健康。随着人工智能PC产品的首次亮相，预计一旦市场对下一代产品的采用增加，我们将看到该领域的增长。