HBM3E预计将占据明年近九成的需求，存储器厂商积极通过NVIDIA验证

调研机构分析师指出，三大存储器厂商将扩大HBM产能，预计年增117%。明年，随着NVIDIA产品逐步转向12层HBM3E，该产品将成为主流，占整体HBM需求的89%。HBM3E的平均售价约为DRAM产品的三到五倍，待量产后，营收将逐季增长。
目前，三大存储器厂的12层HBM3E正处于NVIDIA的送验阶段，预计验证完成后，能见度将显著提高。
调研机构的分析师表示，经历2023年巨额亏损后，NAND Flash供应商的资本支出变得保守。DRAM和HBM等存储器产品因人工智能的兴起而增加需求，预计将影响2025年NAND Flash设备投资，供过于求局面将缓解。
在服务器市场方面，分析师指出，NVIDIA高阶GPU的出货量增速预计将超过150%。新一代AI芯片的趋势将提高液冷散热方案的渗透率，预计2025年达到24%。
调研机构指出，HBM市场面临的需求挑战与未来展望，以及NAND Flash市场的机遇与挑战。机构对HBM的高增长潜力持乐观态度，预计2025年HBM的ASP将增长18%，推动收入增长156%。HBM的收入在DRAM中所占比重将超过30%。与此同时，NAND Flash市场供过于求的局面预计明年将有所缓解。
分析师强调，HBM市场仍处于高成长阶段，AI服务器持续布局使HBM成为关键。预计2025年HBM的收益率将上升。
随着AI技术的快速发展，NAND Flash市场正经历前所未有的变革，推动企业级SSD市场的蓬勃发展。