三星高频宽存储器HBM3E认证遇阻，1a制程DRAM存问题

根据韩国媒体的报道，三星目前面临多重瓶颈，其半导体、家电、移动通讯和显示器等多个部门均遭遇困难。作为全球市场占有率第一的存储器业务，尽管第三季度整体经济有所回暖，但三星的业绩依然未能令人满意，导致公司运营状况不佳。
市场对三星高频宽存储器（HBM）的表现感到非常失望。由于三星未能在早期积极发展，直到今年第三季度才开始寻求通过英伟达的HBM3E认证，期望能够顺利进入供应链。然而，其八层堆叠产品未能通过认证，而12层堆叠产品预计将延迟至2025年第二或第三季度才能供应。
三星在HBM领域未能积极发展的原因有多方面。专家指出，核心问题在于其DRAM芯片。HBM结构依赖于多个DRAM的垂直堆叠，DRAM的性能直接影响HBM的表现，而三星的1a制程第四代DRAM存在问题。
报道称，10纳米制程的DRAM产品分为多个代次：第一代1x制程、第二代1y制程、第三代1z制程、第四代1a制程，以及主流的第五代1b制程。第四代1a制程的DRAM线宽约为14纳米，尽管三星在2021年下半年开始量产，且采用了EUV技术提高产能，但仍未能提升其竞争力，反而因为EUV制造难度较高，生产成本未能降低。
此外，三星1a制程DRAM的设计也存在不足，特别是在服务器产品开发方面受挫，导致其应用进度滞后于竞争对手。SK海力士在2023年1月的DDR5服务器产品已率先通过英特尔认证，而三星的HBM3E则仍未能获得英伟达的认证。
近期，三星对平泽产线进行了全面检查，确认HBM3E的八层堆叠产品没有问题，但自检发现其数据处理速度低于其他竞争产品，较SK海力士和美光的产品低约10%。
为改善情况，三星正在考虑重新设计部分1a制程DRAM，以恢复服务器DRAM和HBM产品的竞争力。市场人士表示，虽然三星尚未做出最终决定，但若进行重新设计，将面临更大的运营压力。