铠侠、南亚科合作　开发下一代DRAM

铠侠（Kioxia）和中国台湾南亚科技（Nanya Technology）合作开发了一种名为氧化物半导体沟道晶体管DRAM（OCTRAM）的新型DRAM技术。这项技术利用了氧化物半导体的特性，通过改进制造工艺提高了电路集成度，并实现了极低的漏电流。这种新型DRAM元件的大小可以缩小至传统尺寸的三分之二，这有助于降低功耗，特别是在人工智能、5G通信系统和物联网产品等广泛应用中。
此外，铠侠还计划在IEEE国际电子器件会议（IEDM）2024上展示其他几项新兴内存技术，包括适用于存储类内存（SCM）应用的更大容量的磁阻随机存取存储器（MRAM），以及具有出色位密度和性能的新型3D NAND结构。这些技术的发展标志着铠侠在内存技术领域的持续创新和领导地位。