铠侠将于IEDM 2024发布新兴存储器技术

东京，2024年10月23日—(BUSINESS WIRE)—（美国商业资讯）—铠侠公司，作为全球存储器解决方案的领军企业，今日宣布其研究论文已被IEEE国际电子器件会议（IEDM）2024接受发表。IEDM 2024是一场备受瞩目的国际会议，定于12月7日至11日在美国旧金山举行。
铠侠专注于半导体存储器的研发，这对于人工智能的进步和社会数字化转型具有至关重要的作用。除了其领先的3D闪存技术BiCS FLASH™之外，铠侠在新兴存储器解决方案的研究领域也成果显著。公司不懈努力，致力于推出创新的存储器产品，以满足未来运算和储存系统的需求。
当前的运算系统主要依赖DRAM（一种关键的存储器设备，使CPU能够迅速处理数据）和闪存来存储大量数据。铠侠正在引领储存级存储器（SCM）的研发工作，SCM位于半导体存储器层次结构中的DRAM和闪存之间，旨在以比DRAM更大的容量和比闪存更快的速度处理数据。

在IEDM会议上，铠侠将展示针对这三种半导体存储器定制的尖端技术：（1）采用氧化物半导体的新型DRAM，重点在于降低功耗；（2）适用于更大容量SCM应用的MRAM；以及（3）具备更高位元密度和性能的新型3D闪存结构。

新兴存储器技术包括：
1. 氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）：该技术由中国台湾南亚科技与铠侠共同开发。两家公司研发了一种垂直晶体管，通过改进制造工艺提高了电路集成度。利用氧化物半导体的特性，提升了晶体管的性能，并实现了极低的电流泄漏。这有望降低包括AI和后5G通信系统以及物联网产品在内的各种应用的功耗。
论文标题：具有4F2架构的氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）（论文编号：6-1）
2. 高容量交叉点MRAM技术：该技术由SK海力士与铠侠共同开发。通过这项技术，两家公司结合了大容量选择器与磁性隧道结单元技术，并应用交叉点型阵列的精细加工技术，在MRAM最小的单元半间距20.5纳米规模上实现了单元读/写操作。随着单元的小型化，存储器的可靠性往往会降低。两家公司采用了一种新的读取方法，利用选择器的瞬态响应并降低了读取电路的寄生电容，开发出了一种潜在的解决方案。这项技术在AI和大数据处理方面具有实际应用价值。
论文标题：全球最细小1选择器-1MTJ单元，适用于64 Gb交叉点MRAM的可靠存储器操作和低读取干扰率（论文编号：20-1）
3. 采用水平单元堆叠结构的下一代3D存储器技术：铠侠开发了一种新的3D结构，以提高可靠性并防止NAND型单元性能下降。与传统结构中堆叠层数增加通常导致性能下降不同，新结构通过水平排列NAND型单元来实现堆叠。这种结构以低成本实现了高位元密度和高可靠性的3D闪存。
论文标题：先进水平通道闪存的卓越可扩展性，适用于未来3D闪存（论文编号：30-1）
有关IEDM的更多详情，请访问：https://www.ieee-iedm.org/
铠侠的使命是“以‘存储器’提升世界”，旨在通过存储器技术开启新时代，并将继续推动研发，以支持数字社会的未来发展。