三星1b DRAM良率显著提升 但难以应用于HBM

三星电子的第五代10纳米级（1b）DRAM良率已超过60%。然而，由于该产品在最初设计时未考虑高频宽存储器（HBM）的应用，使得1b DRAM无法用于HBM产品线。为了应对中国厂商的竞争，三星计划利用1b DRAM产品。
为追赶在HBM领域领先的SK海力士，三星近期在存储器部门成立了高频宽存储器团队，旨在提升良率并推动第六代AI存储器HBM4及AI加速器Mach-1的开发。
根据《韩国经济日报》的报道，三星的HBM小组主要负责DRAM和NAND型闪存的研发与销售。三星执行副总裁兼DRAM产品与科技长Hwang Sang-joon将领导这一新团队。这是自今年1月启动HBM任务团队以来，成立的第二个聚焦于HBM的小组。
三星正在全力以赴，希望在先进HBM市场中超越SK海力士。2019年，由于错误判断市场前景，三星解散了当时的HBM小组。
为争夺AI芯片市场的领先地位，三星实施“双轨”策略，计划同时开发HBM和Mach-1两种尖端存储器芯片。预计在2024年下半年量产HBM3E，并于2025年投产下一代HBM4。HBM3E是针对AI应用的最佳DRAM，属于第五代DRAM。
此外，三星还在研发下一代用于AI推理的加速器Mach-2。Hwang指出，客户对此展现浓厚兴趣，三星需加快研发进程。
在产能方面，Hwang于3月26日在加州圣荷西举行的《Memcon 2024》会议上表示，预计今年三星的HBM产能将增长2.9倍，超过在2024年拉斯维加斯消费电子展上预测的2.4倍。
三星在会议中还发布了HBM技术路线图，预计到2026年HBM出货量将比2023年高出13.8倍，2028年的年产出将比2023年多出23.1倍。目前，三星最新的HBM3E 12H芯片已开始送样，预计在今年上半年实现量产。
此外，三星半导体事业部门负责人桂显表示，Mach-1的开发已与Naver公司达成协议，预计将于年底开始供应，合约金额高达1兆韩元（约7.52亿美元）。Naver希望通过与三星的供应协议，显著降低对英伟达的依赖。
总体来看，三星在HBM市场的重新布局及加速研发将对其在AI存储器领域的竞争力产生重要影响。