高频宽存储器HBM需求旺盛，南韩和台湾地区有望成为关键生产地

随着英伟达、AMD超微等公司推出新一代AI芯片，高频宽存储器（HBM）的需求持续上升。分析师指出，美光、SK海力士等记忆体大厂已宣布其2025年前的HBM产品售罄，显示出市场的强劲需求。
中国台湾地区工研院产科国际所（IEK）预测，2024年全球存储器市场增长率将达到77.3%，其中DRAM动态随机存取存储器市场回暖，特别是高频宽存储器（HBM）产品的崛起，将推动存储器市场的进一步增长。预计到2024年，HBM将占DRAM市场的19%。
台湾工研院产科国际所半导体研究部产业分析师黄慧修表示，目前HBM产品已量产出8层HBM3E，而堆叠技术更高的12层HBM3E预计将于今年底或明年初量产。全球三大记忆体大厂SK海力士、三星、美光的进度各不相同，SK海力士的12层产品预计今年底交货，而三星和美光仍在样品测试阶段。
黄慧修预计，HBM3E将在2025年至2026年成为市场主流。SK海力士和三星的生产地都在南韩，美光的生产地则位于日本广岛及中国台湾台中厂。随着HBM需求的提升，台湾地区也将增加前段晶圆DRAM产能。
值得注意的是，更进阶的HBM4将从传统记忆体制程转向逻辑制程，制造将由晶圆厂及非记忆体厂负责。今年，SK海力士和三星都强调将与台积电合作，采用台积电制程，显示出记忆体厂与晶圆厂合作的趋势日益重要。