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高频宽存储器HBM需求旺盛,南韩和台湾地区有望成为关键生产地

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-10-30
随着英伟达、AMD超微等公司推出新一代AI芯片,高频宽存储器(HBM)的需求持续上升。分析师指出,美光、SK海力士等记忆体大厂已宣布其2025年前的HBM产品售罄,显示出市场的强劲需求。
中国台湾地区工研院产科国际所(IEK)预测,2024年全球存储器市场增长率将达到77.3%,其中DRAM动态随机存取存储器市场回暖,特别是高频宽存储器(HBM)产品的崛起,将推动存储器市场的进一步增长。预计到2024年,HBM将占DRAM市场的19%。
台湾工研院产科国际所半导体研究部产业分析师黄慧修表示,目前HBM产品已量产出8层HBM3E,而堆叠技术更高的12层HBM3E预计将于今年底或明年初量产。全球三大记忆体大厂SK海力士、三星、美光的进度各不相同,SK海力士的12层产品预计今年底交货,而三星和美光仍在样品测试阶段。
黄慧修预计,HBM3E将在2025年至2026年成为市场主流。SK海力士和三星的生产地都在南韩,美光的生产地则位于日本广岛及中国台湾台中厂。随着HBM需求的提升,台湾地区也将增加前段晶圆DRAM产能。
值得注意的是,更进阶的HBM4将从传统记忆体制程转向逻辑制程,制造将由晶圆厂及非记忆体厂负责。今年,SK海力士和三星都强调将与台积电合作,采用台积电制程,显示出记忆体厂与晶圆厂合作的趋势日益重要。