三星电子推进存储技术革新，目标2026年量产400层以上NAND

三星电子（Samsung Electronics）正加速其在存储技术领域的创新步伐，计划于2026年推出具有里程碑意义的400层以上BV（Bonding Vertical）NAND Flash，以增强其在企业级固态硬盘（eSSD）市场的竞争力。这项技术以其高存储容量和优越的散热性能，预计将在人工智能（AI）数据中心的大容量SSD中发挥重要作用。
BV NAND Flash技术标志着三星在3D NAND闪存技术发展上的又一重大突破。该技术通过在不同的晶圆上分别创建存储单元和外围设备，然后进行键合，实现了存储单元和外围电路的垂直堆叠。这种方法不仅避免了在高堆叠过程中对外围电路结构的破坏，还显著提高了位密度，预计单位面积的位密度将提高1.6倍。
三星电子的这一战略举措，旨在通过技术创新，提升其在存储器市场的竞争力。随着AI和大数据的快速发展，市场对于高性能、高容量存储解决方案的需求日益增长。三星电子通过不断推动存储技术的极限，致力于满足这些新兴市场的需求。
三星电子的长期技术路线图还包括在2027年推出第11代V-NAND技术，预计该技术将使数据传输速度提高50%，并计划到2030年开发超过1000层的NAND芯片，以实现更高的存储密度和容量。这一系列技术进步，不仅将推动三星电子在存储技术领域的领导地位，也将为全球存储器市场带来新的变革。