三星半导体业务重心转向2纳米与HBM

三星电子发布了2024年第三季度财报，其中负责半导体业务的DS部门整体获利较第二季度下滑40%。为应对市场变化，三星计划在2025年专注于第六代高频宽存储器（HBM4）的开发及先进制程，特别是2纳米工艺的量产。
第三季度，三星半导体DS部门的营收为29.17兆韩元，营业利润为3.86兆韩元，较第二季度的6.45兆韩元大幅下降，也未达市场预期。为此，三星打算重点扩大DS部门高价值产品的销售，并确保技术领先地位。
在DRAM领域，三星计划增加HBM的销售，并加速DDR5第五代10纳米DRAM（1b制程）的发展，以满足市场对32Gb DDR5大容量服务器存储器的需求。在NAND闪存方面，三星计划扩大采用第八代V-NAND的PCIe 5.0销售，并量产大容量QLC产品以巩固市场地位。
系统半导体方面，System LSI计划增加Exynos 2400的供应，并扩大DDI显示驱动芯片对OLED的支持。晶圆代工业务则致力于扩大各种应用以提高生产能力，确保2纳米GAA制程的量产能满足客户需求。
展望2025年，DS部门预计将专注于构建有利可图的产品组合，如HBM和服务器SSD等先进制程产品。在存储器方面，将积极扩大HBM3E的销售，并计划下半年量产HBM4。
此外，三星还将积极扩大高端产品的销售，如服务器用128GB或更大容量的DDR5，以及移动设备、PC和服务器用的LPDDR5X等，这些产品将开始向第八代V-NAND制程转移，并积极响应基于QLC的大容量需求。同时，System LSI也将专注于为主要客户的旗舰产品供应SoC，并致力于下一代2纳米技术的发展。