SK海力士引领存储技术革新,推出全球首款48GB 16-Hi HBM3E闪存
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-11-07
在近日举行的2024年SK AI高峰会上,SK海力士执行长隆重展示了业界首款16-Hi HBM3E闪存,这一创新之举使得SK海力士在存储技术领域成功领先于三星和美光。为了确保技术的稳定性和市场的领先地位,SK海力士推出了HBM3E的16层版本,并计划于明年向市场提供样品。
值得一提的是,几周前,SK海力士已经成功推出了12-Hi HBM3E闪存的变体,并获得了AMD和英伟达的青睐与合作合约。此次升级至16层后,每堆叠容量达到了惊人的48GB,这一突破性的进展使得AI加速器在8堆叠配置中能够配备高达384GB的HBM3E闪存,从而大幅提升了训练性能和推理性能,分别提高了18%和32%。
此外,SK海力士还在积极开发PCIe 6.0 SSD、针对AI服务器的大容量QLC eSSD以及针对移动设备的UFS 5.0存储技术。同时,为了满足未来笔记本电脑及手持设备对高性能存储的需求,SK海力士正在研发LPCAMM2模组,并利用其先进的1cnm节点技术焊接LPDDR5/6存储器。
为了克服所谓的“内存墙”问题,SK海力士还在不断探索和研发近内存处理(PNM)、内存处理(PIM)以及计算存储等前沿解决方案。
值得一提的是,几周前,SK海力士已经成功推出了12-Hi HBM3E闪存的变体,并获得了AMD和英伟达的青睐与合作合约。此次升级至16层后,每堆叠容量达到了惊人的48GB,这一突破性的进展使得AI加速器在8堆叠配置中能够配备高达384GB的HBM3E闪存,从而大幅提升了训练性能和推理性能,分别提高了18%和32%。
此外,SK海力士还在积极开发PCIe 6.0 SSD、针对AI服务器的大容量QLC eSSD以及针对移动设备的UFS 5.0存储技术。同时,为了满足未来笔记本电脑及手持设备对高性能存储的需求,SK海力士正在研发LPCAMM2模组,并利用其先进的1cnm节点技术焊接LPDDR5/6存储器。
为了克服所谓的“内存墙”问题,SK海力士还在不断探索和研发近内存处理(PNM)、内存处理(PIM)以及计算存储等前沿解决方案。
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