存储器市场迎来寒冬,大摩预警冲击力积电、南亚科、华邦电
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-11-08
摩根士丹利最新发布的“大中华半导体产业”报告指出,中国大陆存储器产能过剩,导致消费型DRAM与NAND价格走弱,DDR4价格预计在第4季至明年首季将进一步下跌。台厂中,力积电评级为“中立”,南亚科和华邦电则被评为“劣于大盘”。
大摩半导体产业分析师詹家鸿表示,中国大陆加大存储器投资力度,尤其是DRAM厂家积极扩产,导致供给过剩问题逐渐显现。消费型DRAM现货价折扣已达34%,7月以来NAND晶圆现货价下跌26%,NAND模组价格也跌10%。
此外,消费电子需求疲软,库存去化时间延长,预计DDR4价格在第4季季减3%-8%后,明年首季降幅将扩大至8%-13%,冲击相关台系厂商。根据机构数据显示,目前PC OEM、模组厂和服务器客户的DRAM库存约达12.3周,库存消化速度减慢,预示DRAM价格压力持续增强。
展望2025年,詹家鸿预估,中国大陆将继续推动存储器产业扩展,DRAM和Nand Flash两家头部厂家预计达到70万片月产能。受益于政策补贴,大陆本地智能手机品牌对国产DRAM产品的采用意愿提高,进一步增强其市场竞争力。
在NOR Flash方面,价格预计在未来1到2个季度保持稳定。尽管市场需求疲软及库存压力持续,但预期在AI PC需求带动下,2025年将迎来一定增长,增速可能有限。
中国台湾厂家方面,南亚科、力积电和华邦电均面临来自中国大陆市场的竞争压力,尤其是大陆DRAM厂家快速扩展的产能对市场供需平衡构成挑战。南亚科约60%的营收依赖于消费性DRAM业务,未来营收恐面临压力。因此,大摩对相关台厂,包括力积电、群联评级均为“中立”,南亚科则给予“劣于大盘”评级。
大摩半导体产业分析师詹家鸿表示,中国大陆加大存储器投资力度,尤其是DRAM厂家积极扩产,导致供给过剩问题逐渐显现。消费型DRAM现货价折扣已达34%,7月以来NAND晶圆现货价下跌26%,NAND模组价格也跌10%。
此外,消费电子需求疲软,库存去化时间延长,预计DDR4价格在第4季季减3%-8%后,明年首季降幅将扩大至8%-13%,冲击相关台系厂商。根据机构数据显示,目前PC OEM、模组厂和服务器客户的DRAM库存约达12.3周,库存消化速度减慢,预示DRAM价格压力持续增强。
展望2025年,詹家鸿预估,中国大陆将继续推动存储器产业扩展,DRAM和Nand Flash两家头部厂家预计达到70万片月产能。受益于政策补贴,大陆本地智能手机品牌对国产DRAM产品的采用意愿提高,进一步增强其市场竞争力。
在NOR Flash方面,价格预计在未来1到2个季度保持稳定。尽管市场需求疲软及库存压力持续,但预期在AI PC需求带动下,2025年将迎来一定增长,增速可能有限。
中国台湾厂家方面,南亚科、力积电和华邦电均面临来自中国大陆市场的竞争压力,尤其是大陆DRAM厂家快速扩展的产能对市场供需平衡构成挑战。南亚科约60%的营收依赖于消费性DRAM业务,未来营收恐面临压力。因此,大摩对相关台厂,包括力积电、群联评级均为“中立”,南亚科则给予“劣于大盘”评级。