三星平泽P4一期产线调整为DRAM+NAND Flash混合生产模式

据韩国ZDNET Korea报道，三星已决定调整其平泽园区P4产线第一期的产能布局，由原先专注于NAND Flash闪存的生产转变为NAND Flash与DRAM的混合生产模式，以适应不断变化的市场需求。
据悉，这一转变从产线内部代号的更改中可见一斑。原代号P4F中的“F”代表Flash闪存，而新代号P4H中的“H”则代表Hybrid混合生产。目前，P4产线第一期已部分引入NAND Flash闪存生产设备，三星计划在年底前将闪存生产能力提升至每月1万片晶圆。然而，受市场不确定性影响，对V9 QLC NAND先进产品的进一步投资规划可能推迟至2025年中。
在DRAM生产方面，P4产线第一期有望实现每月3~4万片晶圆的产能，采用三星最先进的10纳米级1a、1b制程技术，以应对竞争压力并确保市场供应稳定。
总体而言，三星平泽园区P4产线包含四期建设计划，其中三期DRAM产线即将启动建设，而第二期晶圆代工产线的投资则将进一步暂缓。