北京君正：预计21nm DRAM今年年底会推出

北京君正集成电路股份有限公司在DRAM工艺研发方面取得了显著进展。据公司最新消息，北京君正正在研发21nm和20nm的DRAM工艺    。公司预计，21nm的DRAM产品将在今年年底前推出    ，而20nm的DRAM产品则计划在明年中前后推出    。此外，北京君正还计划在未来继续进行更先进工艺的产品研发，以保持其在半导体行业的竞争力    。
北京君正的这一研发进展显示了公司在半导体存储器领域的技术实力和发展潜力。随着21nm和20nm DRAM产品的推出，北京君正将进一步丰富其产品线，并为客户提供更多高性能、低功耗的存储解决方案。这对于推动国产半导体技术的发展和实现国产替代具有重要意义。