旺宏（Macronix）的SGVC 3D NAND Flash技术

中国台湾旺宏（Macronix）的SGVC 3D NAND Flash技术是一种创新的存储解决方案，它采用了Stacked Gate Vertical Channel（SGVC）架构。与传统的GAA（Gate-All-Around）技术不同，SGVC技术专注于提升3D NAND Flash的存储密度，而不是用于提高逻辑元件的性能和缩小尺寸。
SGVC NAND Flash通过在垂直方向上叠加多层记忆单元来增加容量，这种方法在增加容量方面具有明显优势。与GAA技术相比，SGVC架构在存储密度的提升上更容易实现多层叠加，从而提高存储容量。这种设计使得SGVC NAND Flash在读取干扰和适合读密集型应用方面表现出色。
旺宏已经成功开发了16层SGVC 3D NAND，具有128Gb MLC容量。这种结构的单元面积显著小于2D 1ynm MLC，使得SGVC在单位面积内能提供更高的存储密度。此外，SGVC技术还采用了金属层替代传统的多晶硅门，以降低字线（WL）的电阻电容（RC）延迟。
SGVC技术的另一个创新点是它能够在每个深沟槽中产生两个物理位（双密度），从而提供了一种高效的高密度存储生产方式。这种设计不仅提高了存储密度，还保持了良好的读取干扰特性和适合读密集型应用的特性。
旺宏的SGVC 3D NAND Flash技术展示了在3D NAND领域中的创新能力和对提升存储密度的承诺。随着技术的不断进步，SGVC技术有望在未来的存储解决方案中发挥更大的作用。