SK海力士将于2025年初提供HBM3E 16H样品

韩国存储器制造商SK海力士宣布，将于2025年初提供其第5代高带宽内存（HBM）——HBM3E 16H的样品。
在SK集团主办的新闻发布会上，首席执行官Kwak Noh-jung透露，HBM3E 16H将采用堆叠16个DRAM芯片的设计，并继续使用大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）封装技术。此外，公司还在开发混合键合工艺作为备用方案。
MR-MUF技术利用SK海力士开发的环氧树脂模塑料填充DRAM芯片之间的间隙，从而提高产品的可靠性和性能。
Kwak Noh-jung还表示，SK海力士计划推出12个堆栈和16个堆栈的第6代HBM——HBM4，作为其主要产品线。
在性能方面，HBM3E 16H相比之前的12H版本，学习能力提升了18%，推理能力提高了32%。此外，该芯片还将提供高达48GB的容量。
除了HBM产品线，SK海力士还在积极开发基于其1c纳米工艺节点的LPDDR5和LPDDR6内存，以及LPCAMM2技术。
在NAND闪存领域，SK海力士正在为基于四级单元的PCIe 6固态驱动器、嵌入式SSD以及最新的UFS 5.0（JEDEC闪存标准）做准备。
这一系列创新举措表明，SK海力士在高性能存储技术方面持续保持领先地位，并致力于为客户提供更高效、更可靠的存储解决方案。