SK海力士量产321层NAND闪存，明年上半年供应

存储器大厂SK海力士于21日宣布，已开始量产全球最高的321层1Tb TLC（Triple Level Cell）4D NAND Flash，并计划从明年上半年起向客户提供，以满足市场需求。
SK海力士表示，自2023年6月起，公司已量产业界最高的上一代238层NAND Flash产品，并供应市场。此次推出的321层NAND Flash突破了技术限制，再次领先行业。
该公司介绍，新产品采用了高生产效率的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠限制。通过分三次通孔，并优化后续工艺将3个通孔进行电气连接。同时，开发了低变形材料，并引入通孔间自动排列矫正技术。技术团队还将上一代238层NAND Flash的开发平台应用于321层，最大程度减少了工艺变化，相较于上一代，生产效率提升了59%。
与上一代产品相比，SK海力士321层产品的数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%，数据读取能效也提高了10%以上。公司将凭借321层NAND Flash积极进军AI的低功耗、高性能新市场，并逐步扩展应用范围。
SK海力士NAND Flash开发担当副社长崔正达表示，公司率先投入300层以上的NAND Flash，旨在抢占用于AI数据中心的固态硬盘、终端AI等市场，并占据有利位置。他强调，SK海力士不仅在以HBM为代表的DRAM领域具备高性能产品，同时在NAND Flash领域也拥有超高性能存储器产品群组，成为全方位面向AI的存储器供应商。
NAND Flash芯片根据每个单元（Cell）可存储的信息量（比特，bit），分为SLC（Single Level Cell，1位）、MLC（Multi Level Cell，2位）、TLC（Triple Level Cell，3位）、QLC（Quadruple Level Cell，4位）、PLC（Penta Level Cell，5位）等不同规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以存储的数据越多。