中国芯片产业迅猛发展，存储器领域紧追三星、美光

借助庞大的国内市场和资金支持，中国在半导体市场逐渐撼动了长期以来由韩国、中国台湾地区和美国主导的地位。
据韩媒Pulse报道，中国芯片制造商取得了显著进步，先进半导体领域也是如此。中芯国际今年第三季度利润创下历史新高，营收同比增长34%至21.7亿美元，营业利润飙升94%至1.699亿美元。中国DRAM大厂积极降低DDR4价格，提供的存储器芯片价格比三星、SK海力士便宜50%。
中国企业也在大力招揽韩国和台湾地区的顶尖人才。成均馆大学教授Kwon Seok-joon指出，台积电将中芯国际视为主要竞争对手，因为许多主要的研发和制程人员都被招到中芯国际。
在美国限制后，中芯国际仍成功推出7纳米制程，尽管良率问题仍然存在，先进制程进度落后于韩国和台湾地区，但对于2000年才成立的公司来说，技术差距已显著缩小。
Kwon Seok-joon预测，在十年内，以中芯国际为首的中国晶圆代工产业，10纳米以上制程和中阶制程的市场占有率将增长一两倍。另外，由于资金的持续支持，中芯国际可能在2030年代中期与台积电抗衡。
中国存储器厂商产能迅速扩张，紧追美光和三星。中芯国际于2018年成立存储器子公司Semiconductor Global Solutions（SGS），并从三星电子和SK海力士招募了许多工程师，正在浦东和宁波加速DRAM开发。
根据研调机构的数据，全球晶圆代工市场中，台积电市占率高达62.3%，其次是三星11.5%，第三是中芯国际5.7%。
在存储器产业方面，中国厂商以量产DDR4主导市场，同时推动DDR5量产。目前仍专注于低阶存储器，如17~18纳米DDR和低功耗LPDDR4X，快速扩大生产规模。
根据美系外资摩根士丹利的数据，中国最大的DRAM厂家的晶圆月产能将从2020年的4万片增加到2024年的20万片，今年全球DRAM市占率突破10%。业界人士估计，其与三星的技术差距为1.5年或更短，而最大的Nand Flash厂家和其他NAND公司也与领导者差距缩小到1年以下；另一位业界人士透露，龙头DRAM厂家明年的产能确实与美光相当。
预测由于中国产能扩张，明年DRAM产量将比今年增加25%。延世大学教授Kim Hyun-jae表示，中国扩大DRAM产能是韩国半导体公司最大的风险因素。
中国大量低成本芯片，可能对消费性电子产品、汽车和工业设备用的传统半导体产生重大影响，这部分占全球半导体需求的75%。业界人士指出，为降低成本，中国对芯片的需求越来越大，这一趋势可能会改变整个市场结构。