​三星与S海力士DRAM产出策略调整与中国厂商潜在影响

根据报道，三星电子和 SK 海力士在 2025 年计划调整 DRAM 的产出策略，倾向通过 自然减产（缩减新设备投资并优化现有生产线）来平衡市场供需和稳定价格。这些措施反映了全球存储市场目前面临的复杂局势，尤其是在 AI 驱动的高性能存储需求与传统消费市场低迷之间的动态平衡中。

三星与 SK 海力士的策略调整

1.自然减产与设备升级：

• 新设备投资减少：2025 年两大厂将优先升级现有设备，而非大幅扩产新线。

• 制程转换：持续推进先进制程（如 1b/1c nm DRAM 制程），提高单位面积内存密度以降低成本。

• 扩充 HBM 产能：重点发展高带宽记忆体（HBM）以满足生成式 AI 和高性能计算的需求。

  2.应对市场变化：

• 优化现有产线，避免因过剩库存导致价格崩跌。

• 专注高价值产品（如 HBM 和企业级 DRAM），改善产品组合以提升利润率。

中国厂商的崛起与潜在影响

中国记忆体厂商近年来不断扩展 DRAM 产能，可能在未来几年内对全球市场格局产生深远影响：

1. 低成本生产：中国厂商有望凭借资金支持和低生产成本在标准 DRAM 市场形成竞争力。

2. 产能扩张：若中国厂商继续扩大生产，可能导致现有市场格局重构和市场供给过剩，对价格稳定构成压力。

3. 技术差距：目前中国厂商在高性能 DRAM（如 HBM 和 DDR5）领域与韩国厂商仍有显著差距，但若能突破技术瓶颈，或将撼动市场主导地位。

展望与挑战

1. 市场平衡压力：如果中国厂商的扩张速度超出预期，可能使全球市场陷入新的供需失衡。

2. 地缘政治因素：中美科技竞争可能限制中国厂商获得先进半导体设备（如 EUV 光刻机），这可能延缓其技术升级进程。

3. AI 应用推动增长：尽管标准 DRAM 面临竞争，高端产品（如 HBM 和 DDR5）预计需求将持续强劲，韩国厂商在该领域具备显著技术优势。

综合来看，未来全球 DRAM 市场将继续围绕高端与标准产品线展开竞争。三星和 SK 海力士在高性能存储领域的技术主导地位短期内难以撼动，但中国厂商的崛起仍可能对全球市场带来长期变量。地位短期内难以撼动，但中国厂商的崛起仍可能对全球市场带来长期变量。