SK海力士推出321层NAND Flash，三星面临挑战

近期，存储器行业的竞争格局发生了显著变化。继DRAM和高带宽内存（HBM）之后，SK海力士在NAND Flash领域也对三星电子发起了挑战。
SK海力士近日宣布，已成功量产321层堆叠的1Tb TLC NAND Flash，成为首家实现300层以上堆叠NAND Flash量产的公司。这一技术突破使得SK海力士在市场上占据了领先地位。与上一代产品相比，新款321层NAND Flash在数据传输速度上提升了12%，读取效能提高了13%，且数据读取功耗效率也提升了10%以上。
SK海力士表示，这款新型NAND Flash将积极应对未来低功耗、高性能AI市场的需求，并逐步扩大其应用范围。根据BusinessKorea的报道，SK海力士在300层以上NAND Flash技术上的领先地位引起了三星电子的危机感。三星电子曾是垂直堆叠NAND Flash产品的先驱，但如今SK海力士的技术进步使得三星电子在拓展业务方面面临困难。
值得注意的是，尽管NAND Flash在过去一直未受到AI热潮的直接影响，但近期情况发生了变化。数据中心对支持AI运算的快速高效能固态硬盘（SSD）的需求激增，特别是企业级SSD（eSSD），其表现与HBM的需求类似。SK海力士成为AI热潮中受益最多的公司之一。据统计，2024年第三季度，SK海力士的eSSD销量同比增长了430%，占其SSD总销量的60%。
目前，SK海力士正加速扩大以eSSD为中心的NAND Flash竞争力。最近，SK集团董事长Chey Tae-won兼任SK海力士子公司Solidigm的董事长。Solidigm是业界唯一拥有量产QLC NAND Flash技术的公司，在eSSD供应方面处于领先地位。QLC容量高效，非常适合大容量AI数据中心使用的eSSD，具有性能优势和成本竞争力。
对三星电子而言，NAND Flash是其必须守住的最后一道防线。三星电子一直是存储器产业的老大，但由于AI带来的格局变化，它在HBM和DRAM领域连续面临SK海力士的挑战。如果三星电子在NAND Flash领域也被SK海力士迎头赶上，这将是三重打击。尽管三星电子目前的市场份额仍占据优势，但SK海力士在不断增长的eSSD市场中的强劲表现有望迅速缩小这一差距，对三星电子构成强大威胁。