三星成功减少3D NAND生产中光阻剂用量以降低成本

据韩媒TheElec报道，三星已成功大幅减少3D NAND闪存生产过程中曝光制程所使用的光阻剂（PR）。
消息人士指出，三星已经为未来的NAND设定生产路线图，只使用比以前少一半的PR。过去每个涂层使用的PR为7~8cc，现在已减至4~4.5cc。
为了减少制程中PR的使用量，三星通过控制涂布机的旋转（rpm）次数，并调整PR涂布后的蚀刻条件，从而有效节省成本。
三星为了增加层数，在3D NAND生产中使用厚氪氟化物（KrF）PR。当NAND堆叠层数达到一百层时，成本将显著提高。使用厚PR可以在一次操作中形成多层，从而提高制程效率。然而，厚PR的黏度较高，涂布时容易造成均匀性问题。
为了解决这一问题，三星早在2013年以前就与韩国化学材料厂商Dongjin Semichem（东进世美肯）展开合作，后者成为三星KrF PR的独家供应商。
当涂布在第七代NAND上时，PR厚度为11微米；第八代厚度为14微米（越厚越好）。然而，从第九代3D NAND开始，由于旋转转速和蚀刻条件的调整，三星将使用比以前少一半的PR，预计可节省数百亿韩元。
这一变化也意味着三星向Dongjin Semichem的PR订购量将会减少。Dongjin Semichem每年从PR赚取2500亿韩元的营收，其中60%来自供货给三星。因此，Dongjin Semichem董事长Lee Boo-Sup最近要求其原材料供应商也采取成本节约措施。