2025年HBM崛起与NAND闪存减产应对低迷

随着全球存储芯片市场逐步转向高性能、高需求领域，DRAM与NAND闪存行业在2025年面临截然不同的格局。高带宽存储器（HBM）的崛起推动了DRAM市场的整体增长，而NAND闪存行业则因供需失衡和价格暴跌陷入低迷。各大厂商正在调整策略，以应对市场变化并确保自身竞争力。

DRAM市场：HBM成增长核心，传统DRAM承压
根据机构预测，2025年DRAM市场将呈现出“冰火两重天”的局面。高性能HBM产品受人工智能服务器需求驱动，价格预计各季度逐步上涨；而传统DRAM产品由于产能调整及市场需求疲软，价格或将逐季小幅下滑。
预计2025年DRAM产业总产值将增长36.3%，达到1247.16亿美元，位元出货量增长24.7%，平均售价上涨17.0%。其中，HBM产品渗透率将在2025年第四季度达到10%，成为市场增长的主要动力来源。
与此同时，DRAM三大厂商——三星、SK海力士和美光，将进一步加快技术升级步伐。2025年主要厂商将全面转向1b纳米制程，以满足HBM3E产品需求；2026年将迈向1c纳米制程，服务于下一代HBM4产品。HBM与DDR5产品的生产制程重叠，使得HBM的供应进展对DDR5价格和供需产生直接影响。

NAND闪存市场：价格大跌，厂商减产稳市
与DRAM市场不同，NAND闪存行业正经历严峻挑战。据机构统计，自2023年9月起，NAND闪存价格连续三个月大幅下跌，跌幅分别为11.44%、29.18%和29.8%，全年累计跌幅已超50%，降至2015年以来的最低点。需求低迷、产能过剩成为主要原因。
为应对市场困境，主要厂商纷纷采取减产措施。铠侠已宣布本月开始减产，三星也计划通过削减产量以稳定价格。预计三星的减产幅度将保持在20%-25%，并持续至2024年第二季度。此外，美光和SK海力士也在调整其生产策略，以避免亏损销售。

消费与企业需求分化，AI驱动高端市场
从需求端看，消费类电子市场持续疲软。PC与智能手机销量下降直接导致消费级NAND闪存需求减少，价格也仅小幅增长。而企业级SSD则因数据中心建设和AI服务器需求强劲，价格保持相对稳定，尤其是16TB及更大容量产品成为增长亮点。
据机构统计，2023年第三季度全球NAND闪存市场营收达176亿美元，环比增长4.8%。这一增长主要得益于企业级SSD平均售价上涨15%，但消费端的低迷对市场动能构成持续压力。
展望2024年，服务器领域的需求仍将支撑高端市场。4TB和8TB企业级SSD需求预计将在明年逐步回暖，推动相关市场复苏。然而，消费电子领域的订单动能削弱，行业复苏速度可能慢于预期。

市场调整与未来展望
虽然高端市场需求有所支撑，但整体存储芯片市场仍需时间消化库存压力。当前全球主要内存厂商的库存已回到10-12周的正常水平，但PC和智能手机市场需求的疲软仍限制了价格回升的空间。
业内人士指出，存储芯片行业的全面复苏尚需时日。HBM产品的崛起为DRAM市场提供了增长动力，但NAND闪存行业仍面临价格低谷和需求疲软的挑战。未来，随着AI技术进一步普及，以及消费市场需求逐步回暖，存储芯片市场有望迎来更稳定的发展周期。