SK海力士拟采用台积电3纳米工艺生产HBM4，三星考虑跟进

市场传闻，SK海力士（SK Hynix）将应重要客户的要求，于明年下半年采用3纳米工艺生产定制化的第六代高频宽存储器（HBM）“HBM4”，而非原定的5纳米制程。
《韩国经济新闻》3日援引半导体行业消息报道了上述信息。SK海力士已决定与晶圆代工龙头中国台湾台积电合作开发HBM4，主要出货客户为英伟达。
消息人士透露，SK海力士最快将于明年3月发布一款采用3纳米基础裸晶的垂直堆叠HBM4原型。目前，英伟达的图形处理器（GPU）基于4纳米HBM。基础裸晶位于连接GPU的HBM底部，其作用类似于芯片的大脑。堆叠在3纳米基础裸晶上的HBM，性能有望比5纳米HBM4提升20%至30%。
SK海力士采用3纳米裸晶生产HBM4，有望进一步扩大与竞争对手三星电子的差距。三星计划使用其4纳米工艺生产HBM4。
爆料人士@Jukanlosreve 3日通过社交平台X指出，SK海力士之所以改用台积电的3纳米技术制造HBM4，是为了回应三星宣布以4纳米生产HBM4的声明。结果，三星目前也在考虑采用3纳米生产HBM4，甚至可能选择台积电的3纳米技术。
SK集团会长崔泰源11月4日在首尔举行的《SK AI高峰会》上曾提到：“上次我跟英伟达首席执行官黄仁勋会面时，他问我能否提前6个月供应HBM4。我询问SK海力士首席执行官是否可行，得到他会努力尝试的回应。因此，我们便决定把供应日期提前6个月。”他当时还称赞台积电是真正为客户着想的企业。
三星执行副总裁Kim Jae-june 10月31日在电话会议上表示，由于满足HBM客户的要求非常重要，因此三星在选择晶圆代工伙伴制造基础裸晶时会保持灵活性，无论是内部还是外部晶圆厂都会纳入考虑。Shinyoung Securities芯片分析师Park Sang-wook指出，若三星与台积电合作，将是前所未有的举动，这暗示三星的晶圆代工事业还无法提升良率，技术也不受HBM大客户青睐。