三星400层堆叠NAND闪存技术突破，预计2025年量产

据韩国媒体报道，三星电子近日宣布，其半导体研究所已经成功开发出具有突破性的400层堆叠NAND闪存技术。目前，该技术正在转移至平泽园区一号工厂的大规模生产线上，为未来量产铺平道路。这一技术里程碑不仅巩固了三星在NAND闪存领域的领先地位，也进一步拉开了与竞争对手的差距，其中包括已宣布量产321层堆叠NAND闪存的SK海力士。
根据BusinessKorea的报道，三星计划于2025年2月在美国举办的国际固态电路会议（ISSCC）上正式发布其1Tb容量的400层堆叠TLC NAND闪存技术，并计划在2025年下半年正式量产。然而，市场分析人士认为，如果三星加快研发和生产进程，量产时间有望提前至第二季度末。
多管齐下推进高端存储器布局除了400层堆叠NAND闪存外，三星还计划在2025年进一步扩展其高端存储器产品线。其中，平泽园区将新增第9代（286层堆叠）NAND闪存生产设施，预计月产能可达3万至4万片晶圆。同时，中国西安工厂的128层堆叠（V6）NAND闪存生产线也将逐步升级为236层堆叠（V8）制程，以应对日益增长的市场需求。
三星400层堆叠NAND闪存的研发代表了存储技术的重要突破。自2013年推出3D NAND闪存以来，三星不断提升存储器容量与读取速率。最新完成开发的400层堆叠TLC NAND闪存进一步展示了其技术实力。目前，三星在全球NAND闪存市场的份额为36.9%，继续保持领先。然而，紧随其后的SK海力士已率先量产238层堆叠NAND闪存，并计划推进321层堆叠NAND闪存的量产，为三星带来不小竞争压力。
市场需求升温，价格波动加剧近期，NAND闪存市场受到多重因素影响，包括消费者需求变化、价格走势，以及人工智能（AI）和数据中心等应用的快速发展。在数据密集型应用驱动下，数据中心用NAND闪存的销量持续增长，带动市场需求逐步回升。然而，128Gb MLC产品在11月的交易价格却大幅下滑29.8%，均价仅为2.16美元。
机构分析指出，尽管预计2024年第四季度NAND闪存价格将下跌3-8%，但企业级固态硬盘（SSD）的价格仍可能上涨5%。
提升良率，迎接量产挑战报道还提到，三星在为400层堆叠TLC NAND闪存大规模生产做准备的同时，也将重点放在提升晶圆良率上。目前，NAND闪存研发阶段的良率仅为10-20%。未来技术成功转移至生产线后，良率的稳步提高将成为提升产量和满足市场需求的关键所在。