铠侠推出创新存储器技术OCTRAM 实现超低功耗

存储器制造商铠侠公司近日宣布，成功开发出一项名为OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM）的新型存储器技术。这是一种基于氧化物半导体晶体管的4F2 DRAM，具备高导通电流和超低截止电流特性，有望通过InGaZnO晶体的超低漏电性能实现低功耗DRAM。
该技术将于2024年12月9日在美国加州旧金山举办的IEEE国际电子元件会议（IEDM）上首次亮相，由南亚科技与铠侠共同研发。OCTRAM技术预计将为人工智能、后5G通信系统和物联网产品等多种应用降低功耗。
OCTRAM采用圆柱形InGaZnO垂直晶体管作为单元晶体管，适用于4F2 DRAM。与传统硅基6F2 DRAM相比，其在存储器密度方面具有显著优势。
通过元件和工艺的优化，InGaZnO垂直晶体管实现了超过15μA/cell（1.5 x 10^-5 A/cell）的高导通电流和低于1aA/cell（1.0 x 10^-18 A/cell）的超低截止电流。在OCTRAM结构中，InGaZnO垂直晶体管被整合在高深宽比电容器的顶部（电容器优先工艺），这种设计使得先进电容器工艺与InGaZnO性能之间的相互作用得以分离。