三星面临挑战：2024年供应辉达HBM3E无望

韩国存储器巨头三星一直在努力准备向GPU巨头英伟达供应HBM3E高频宽存储器，但目前看来这一目标几乎无法实现。主要原因是三星的HBM3E高频宽存储器尚未通过英伟达的认证。
根据外媒wccftech的报道，三星在英伟达供应链中占据一席之地的尝试遭遇挫折，主要是因为其HBM3E未能通过英伟达设定的测试和HBM标准。这一结果在三星近期对投资者的报告中已经得到确认，尽管公司对未来通过认证的前景持乐观态度。然而，韩国媒体Daily Korean的最新报道显示，三星在2024年向英伟达供应HBM3E高频宽存储器的期望现在几乎不可能实现，但2025年的情况则相对乐观。
报道指出，三星无法在2024年供应HBM3E高频宽存储器，这意味着在HBM市场的竞争中，三星的主要竞争对手SK海力士将继续保持领先地位。据悉，三星未能通过英伟达认证的主要原因是SK海力士设定了较高的门槛，特别是在使用MR-MUF等先进制程技术方面，这使得三星难以获得英伟达的认证和订单。
在这一市场劣势的影响下，曾经在HBM和NAND存储器产品市场占据主导地位的三星，目前正在逐渐失去其领先优势。SK海力士和美光等竞争对手已经在市场上推出了相关产品，而三星却尚未露面。此外，在NAND Flash领域，SK海力士已经成为全球首家量产321层堆叠解决方案的制造商，而三星预计最快要到2025年上半年末才能推出领先的400层堆叠NAND Flash，这表明其领先地位正在逐步削弱。
尽管如此，三星的前景并非完全黯淡。公司预计最早将于2025年第一季度开始向英伟达等市场客户供应HBM3E高频宽存储器。此外，三星还将依靠下一代HBM4制程技术，力争重新超越竞争对手。然而，SK海力士已经与台积电展开合作，进一步开发HBM4产品。因此，三星未来的举措能否重新夺回领先地位，仍需拭目以待。